活動名稱：

「GaN on Silicon台日技術交流研討會」

活動地址：

工研院中興院區78館209會議室（新竹縣竹東鎮中興路四段195號）

活動日期：

2009年9月11日（五）08:30~17:00

主辦單位：

財團法人工業技術研究院

電子與光電研究所

指導單位：

經濟部工業局

內容簡介：

目前商品化之氮化鎵系半導體光電元件技術均以藍寶石(Al2O3)與碳化矽(SiC)基板為主，且關鍵專利大多掌握在日本、美國和德國廠商手中，鑑於專利與材料方面的種種問題，因此開發關鍵性GaN on Silicon磊晶技術，方能擺脫關鍵原料、技術受制於美日的困境。以矽半導體成長氮化鎵磊晶薄膜有著低成本、大面積與高導電(熱)基板等優勢；此外，以矽作為LED封裝基板，不但滿足未來高功率LED低熱阻的封裝需求，也可減少封裝尺寸，具有較高的信賴性。是故，透過開發高品質大尺寸GaN on Si技術，將可進一步與高度成熟的矽半導體產業結合成光電積體電路，並藉以開發高效率、大面積、低成本之白光LED作為新世代照明光源，進階提升台灣產業技術研發效率、縮短研發成果落實至產業界時程，創新台灣產業之另一利基優勢。

為此工研院電光所特舉辦本次研討會，活動中將聘請到日本原名古屋大學Sawaki教授與台灣產學專家進行演講，透過難得之台日技術交流，期許建立台灣LED元件自主研發能力，精采可期之活動內容，誠摯歡迎相關技術產業先進踴躍報名參加。

活動議程：

註：主辦單位可視情況更動研討會議程及內容（當天Sawaki教授將采英文進行演講）

報名資訊：

一、報名方式：

請填寫報名表，mail至huangyipin@itri.org.tw

或傳真至（03）591-5138 /（03）582-0258 黃依萍小姐 收

二、報名費用：

全額免費，由經濟部工業局補助（含研討會講義、午餐及茶水）

三、報名截止日期：

2009年9月8日（星期二）（場地座位有限，每家公司限定最多2位，報名人數額滿為止）

聯絡窗口：

（03）591-8405   黃依萍 小姐