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來自德國的AZZURRO成立於2003年，主要是提供新型態晶圓給功率半導體與LED廠商使用。AZZURRO擁有獨家專利氮化鎵上矽（GaN-on-Si）的技術，他們的方式是先在矽基板上長出以GaN材料為基礎的緩衝層(buffer layer)，然後可再依LED或功率半導體等產業的不同應用，於此晶圓上生成GaN薄膜。該公司指出，現階段已可以在6吋(150mm)的矽基板生成GaN on Si晶圓，甚至往8吋(200 mm)挑戰，LEDinside預期這種新的製程，可有效解決現有LED生產設備轉移到矽基板LED製程的困難。LEDinside 有幸專訪到AZZURRO 行銷業務副總裁 Erwin Ysewijn先生，分享AZZURRO的技術與經驗。
Mr. Erwin Ysewijn, VP Sales& Market of AZZURRO
GaN-on-Si技術難點與成本節省效益
GaN-on-Si可說是LED產業近來熱門的話題，成熟度一直在提高，是未來發展的技術之一。不過，LEDinside分析，由於目前技術上的困難度聚焦在材料的熱膨脹係數與晶格錯位，因為矽基板和GaN的熱膨脹係數不同，在製程中會因為兩種材質間的晶格錯位而產生應力，進而形成曲度(bow)、裂痕(crack)與薄膜厚度不均的問題。這些問題要克服有一定的難度，不是一般的LED廠商獨立可以完成，過去一直未能在LED業界整個廣泛應用，但如果能夠克服上述問題並且順利的在矽基板上生成Gan層的LED晶圓(外延片)，可以受惠於矽基板的傳導性佳優點，屆時打造出來的LED，其產生的熱能少，有助於簡化LED應用產品上的散熱設計。LEDinside認為，此舉更能提高LED晶圓的波長一致性與厚度均勻性，使得波長更集中，大幅降低磊晶廠的後段檢測成本，並可大幅提升良率。根據AZZURRO的說法，如果以6吋的Gan-on Si基板與藍寶石基板所生成的LED做比較，近期成熟技術來估算，前者的成本可以減少最高達75%，節省成本的效益明顯。
從AZZURRO公布的GaN on Si晶圓數據來看，在150mm(6吋)的晶圓片時，其曲度標準差降低到僅為0.764%，相較於4吋藍寶石基板的近乎於1.0%，表現更顯優異，而且還有機會再精進。相較於藍寶石基板來說，使用矽基板，除了成本上的優勢外，LED廠商能利用現有的矽晶圓製程技術，在切割等後段製程技術都能因應支援。
此外，生產覆晶結構LED (flip chip LED)時，矽晶材質比藍寶石更易移除，生產周期不僅可顯著縮短，還能獲得更佳的良率。LED廠商為了節省成本與生產時間 ，轉為考慮使用大尺寸基板下，矽基板就佔有相當好的優勢。
GaN-on-Si市場發展
AZZURRO看好台灣擁有完整的LED產業供應鏈，予以特別重視，不僅於台灣成立技術與客戶服務團隊，協助客戶製程轉換。AZZURRO表示，在客戶採用GaN on Si 製程時， AZZURRO將支援客戶完成磊晶生長階段，並預估客戶僅需再8到16周進行後段的晶片製程階段。
LEDinside觀點
觀察2012年GaN-on-Si市場發展，目前受限於大尺寸藍寶石基板生產與技術難以發展，6吋以上藍寶石基板價格也高，大多數LED廠商仍使用2吋與4吋的基板。然而，目前全球各國一線LED磊晶廠商皆在進行GaN on Si晶圓實驗階段。除此之外，歐美廠商也於2012年加快6吋GaN on Si晶圓產線建立，量產階段完成後，性價比與發光效率更能達到雙贏。
LEDinside認為，透過這種新技術的快速引進，對於LED產業而言，是降低成本與提高產能的新方法。同時，既有生產設備有機會加值轉換到新製程。長期來看，整體產出、單位成本都會繼續往下走，而市場的應用需求能否與何時可大幅增加，相信是未來最重要的議題。
