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美國LED大廠Cree日前宣佈,旗下的材料事業已經成功地將無微管(ZMP) 的SiC襯底尺寸做到4英吋,約合10公分的長度,將有助於n-type型態的發展,也對氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)產品長期的效能表現有幫助。不過Cree認為,在2008年底之前,該項技術還不會進入全面商業化的階段。
Cree材料事業副總裁Cengiz Balkas強調,儘管這項新的科技打造出的高品質材料是Cree公司策略重要的環節,但目前現有的4英吋SiC晶圓就已經充分滿足目前的應用。他認為,目前客戶對現有產品效能的需求良好,倘若他們需要無微管(ZMP)產品,該公司就會開始進行生產。
他表示,n-type型態的材料是以SiC為基礎產品的重要發展,預期初步應用將會是SiC-Schottky管的應用方面。
現階段SiC是GaN 晶片生長時的襯底,但在生長時會含有結晶的微管,而使得晶圓打造出的產品表現降低,並減少可用的晶圓面積。
Cree先前能夠提供3英吋的無微管(ZMP)晶圓,但如果是生產4英吋的ZMP晶圓,最終將進入量產階段,使得晶圓產出倍增。而為了維持晶體的品質,又要把微管消除,該公司盡了很大的心力。
目前美國陸軍(US Army)與美國國防遠景研究規劃局(DARPA)協助發展了ZMP,Cree與美國軍事單位的合作進一步發展出更好的產品,也為下一代的SiC襯底技術奠定基礎。