TDI開發出新款InGaN基底，預計2008年量產供應給全球LED廠
2007-08-22 15:58 [編輯：ivan]
美國一家發展複合材料技術的公司Technology and Devices International日前表示，他們已經發展出新的InGaN（氮化銦鎵）表層材料，能夠供應給LED生產之用。
InGaN是以GaN為基礎的紫外光、藍光、綠光與白光LED與藍光雷射二極體（LD）等產品的基底材料，該公司指出透過新的技術，能夠讓以InGaN材料為基礎的元件獲得更佳效能。
這次新的基底組成，是以1層InGaN佈置在2英吋直徑的GaN晶版上，產品的主要訴求市超高亮度紫外光、藍光與綠光LED裝置，而藍光與綠光雷射二極管也能夠採用這款材料。
TDI公司預計新的InGaN基底材料將於2008年初量產，而這項新成果主要是受到美國能源部、國防部的支援協助，預計能為固態照明、LED產業帶來新的動力。
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