UCSB與三菱化學聯合發表利用GaN結晶非極性面的藍光LED
2007-10-08 09:58 [編輯：ivan]
在美國拉斯韋加斯舉辦的氮化物半導體國際學會「ICNS-7」上，加州大學聖巴巴拉分校（UCSB）與三菱化學聯合發表了利用GaN結晶非極性面的藍色LED。
該LED利用非極性面中的m面的藍色LED。如果將阱層厚8nm、勢壘層厚18nm的量子阱的發光層進行6次層叠，即形成6層，在20mA電流驅動下，光輸出功率爲23.7mW，外部量子效率爲38.9％。此時，發光波長爲407nm。
同樣地，如果將阱層厚16nm、勢壘層厚18nm的量子阱的發光層進行6次層叠，即形成6層，在20mA電流驅動下，光輸出功率可達28mW，外部量子效率可達45.4％，此時發光波長爲402nm。
當驅動電流增至200mA時，該款LED産品的光輸出功率高達250mW，外部量子效率高達41％。
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