中國「半導體照明前沿關鍵技術培訓研討會」
2008-01-30 10:10 [編輯：ivan]
「半導體照明前沿關鍵技術培訓研討會」日前在中國科學院半導體研究所學術會議中心召開。
會上，中科院物理研究所周均銘教授做了題為《製備超高亮度、大功率LED晶圓材料的生長技術》的報告。
在報告中，周均銘教授分析了極化效應對GaN基LED發光效率的影響及非對稱InGaN/GaN耦合寬窄量子阱中的隧穿輔助反常載流子運輸問題；提出了非對稱量子阱結構中內量子功率顯著提高的方法。並指出目前該所已經形成了生長高亮度藍光LED外延材料的生產技術，並申請了專利。
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