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從LED工作原理可知,晶圓材料是LED的核心部分,事實上,LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數基本上取決於晶圓材料。晶圓技術與設備是 晶圓製造技術的關鍵所在,金屬有機物化學氣相澱積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,簡稱MOCVD)技術生長III-V族,II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。下面是關於LED未來晶圓技術的一些發展 趨勢。
目前商業化生產採用的是兩步生長製程,但一次可裝入襯底數有限,6片機比較成熟,20片左右的機台還在成熟中,片數較多後導致晶圓均勻性不夠。
LEDinside發表知識庫新文章LED晶圓技術發展趨勢及LED晶圓製程]