近日，美國Rensselaer Polytechnic Institute大學在與韓國Electro-Mechanics公司的共同努力下，發表了一項新的研究成果。該研究成果可提升發光功率18%，光電轉換效率22%，該技術顯著減低了「效率降低」問題。

根據研究人員的發現，極化失配可以通過引入新的量子阱而顯著降低。他們將LED活性區的GaInN/GaN層替換為GaInN/GaInN，使得活性區緩衝層具有更好的極化匹配，從而有效降低了電子漏和效率降低。在CES 2009消費電子展上可以看到，LED作為液晶電視的背光源已經得到了較為廣泛的應用。如果這一技術得以應用，將進一步提升LED背光液晶電視的能效，降低能耗。