富士康(Foxconn) 近日研發新技術用來提升LED的量子效率，該項美國專利的申請將挑戰目前LED晶片廠的製程技術。富士康這項提升LED的量子效率的新技術，是通過納米微粒摻雜侷限層(confining layer)的方式，讓氮化銦鎵(InGaN)與砷化鋁鎵(AlGaAs)活性層的晶格排列更平滑有序。研發人員宣稱以氫化的碳化硅 (hydrogenated SiC)作為LED的基板材料，可以有效改善LED芯片的散熱問題。

此外，富士康還在5月28日提出兩項LED專利的申請，範圍包括使用InGaN或AlGaAs作為活性層、單量子阱或多重量子阱層。富士康的LED與一般 LED外延結構的差別在於，前者在活性層兩側的侷限層摻雜了直徑20-200 nm的納米微粒。

發明人陳傑良(Ga-Lane Chen)為鴻海集團的首席技術官，他在專利申請書中指出，摻入的納米微粒可以是氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氧化鎵(GaO)、氮化鎵 (AlN)或氮化硼(BN)，將有助於改善LED裸晶的芯片質量。專利中寫道，納米微粒可以改變n型與p型侷限層的晶格常數 (lattice constant)，進而減少晶格的應變。通過減小應變，在n型侷限層上沉積活性層以及在活性層上沉積p型侷限層時，可以降低晶格錯位 (dislocations)產生的機會。此外，晶格應變減小也會使活性層與侷限層間的應力降低，進而改善量子效率。