三菱化學成功運用液相沉積法造出GaN晶體

據來自於日本經濟新聞方面的消息,三菱化學與藍光LED之父中村修二已成功運用液相沉積法生產出氮化鎵(GaN)晶體。

該晶體直徑約2吋,從晶體上切割出的基板可用來生產LED,其耗電量僅有藍寶石基板LED的三分之一,製造成本也僅為現有氣相沉積法氮化鎵晶體的10%。

另外,該氮化鎵基板還可應用於生產綠色雷射,從而為背投影電視提供更為自然的顏色。

據悉,此種氮化鎵晶體將於2011年1月試產,並於2012年起量產。

RSS RSS     print 列印     mail 分享     announcements 線上投稿        
【免責聲明】
1、「LEDinside」包含的內容和資訊是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和資訊並未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更正在本網站的任何部分之錯誤或疏失。
2、任何在「LEDinside」上出現的資訊(包括但不限於公司資料、資訊、研究報告、產品價格等),力求但不保證資料的準確性,均只作為參考,您須對您自主決定的行為負責。如有錯漏,請以各公司官方網站公佈為準。
【版權聲明】
「LEDinside」所刊原創內容之著作權屬於「LEDinside」網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散佈、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。