近期，士蘭微電子推出了第四代平面結構高壓MOSFET產品——F-CellTM系列高壓MOSFET。該產品工作電壓可以覆蓋400V—900V區間，工作電流在1A—18A之間，可以兼容多晶穩壓管結構以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，導通電阻低，動態參數優等特點，已被廣泛應用於LED 照明，AC-DC功率電源，DC-DC轉換器以及PWM馬達驅動等領域。

F-CellTM產品採用了尺寸較小的保護環結構，在相同規格的條件下，具有相對較小的芯片面積，可有效增加芯片的利用率且降低芯片的製造成本。

同時，該產品優化了柵氧化層的厚度和製程質量，提高了柵源擊穿電壓，從而提高了產品可靠性及穩定度；其突出表現在F-CellTM產品在經過HTRB可靠性試驗後，IDSS仍然可以維持在幾nA的高水平，這保證了F-CellTM器件在長時間工作的高可靠性。

此外，F-CellTM產品通過在設計及製程上的演進，優化了原胞結構，有效減小了JFET效應，使得器件的單位面積導通電阻有明顯減小，從而降低了器件的靜態損耗；另外，通過對多晶柵進行重摻雜處理，提高了器件的響應速度，從而提高轉換效率及降低開關動態損耗。

目前，士蘭微電子F-CellTM高壓MOSFET產品已陸續導入大量且穩定生產中。