科銳新型1200V Z-Re 碳化硅肖特基二極體系列實現低成本高性能

科銳公司日前宣布推出一新型產品系列。該系列產品由七款1200V Z-Rec 碳化硅 (SiC) 肖特基二極體組成,不僅優化了價格和性能,還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推出種類齊全的碳化硅二極體產品系列,科銳不斷將碳化硅功率器件向主流功率應用中推廣。

科銳創始人之一兼功率和無線射頻(RF)產品研發部門首席技術官 John Palmour 指出:“為了開發新一代功率電子產品,設計工程師正在發掘碳化硅肖特基二極體特有的性能優勢,包括零反向恢復損耗、不受溫度影響的開關損耗以及能在更高頻率下工作等,都能支持更低的電磁干擾(EMI)信號。在不影響性能的前提下,該全新系列二極體可以實現比前一代碳化硅肖特基二極體更高的電流密度和更強的電子雪崩性能。”

科銳Z-Rec二極體具有零反向恢復損耗特性,與同類硅二極體相比,開關損耗可銳減 50%。該產品在運行溫度範圍內具有高度一致的開關性能,可以簡化電路設計並能省去複雜的散熱器系統設計。在與科銳近期推出的1200V碳化硅功率MOSFET配合使用時,這些碳化硅肖特基二極體可以實現全碳化硅功率電子線路的運行,其運行的開關頻率較傳統硅二極體和 IGBT 可高出四倍。不僅可以縮小逆變器應用電路的尺寸,降低逆變器電路的複雜程度和成本,還能達到極高的系統效率。與上一代碳化硅肖特基二極體相比,該系列產品的優勢在於具有更高的浪涌額定值和電子雪崩性能,可以幫助提高系統整體的可靠性。

該系列產品非常適合在太陽能逆變器和三相電機驅動電路中用作增壓二極體和反並聯二極體,也可以用於電源和 UPS 設備中的功率因數校正(PFC)二極體,還可以並聯運行以滿足更高功率要求。

已發布器件的額定電流包括 2A[C4D02120x]5A[C4D05120x]10A[C4D10120x]20A[C4D20120x] 40A[C4D40120x]。根據額定電流值的不同,器件可採用標準的 TO-220 以及標準的 TO-247 封裝供貨。欲了解器件的供貨情況,請與科銳聯繫。

新型Z-Rec 1200V肖特基二極體已經發布並完全具備生產使用資格。

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