雖然東芝和普瑞光電合作僅數月,他們已經對外公佈在8英寸矽襯底生長出高品質的GaN,所得LED晶片大小為1.1mm。在電壓不超過3.1V,電流為350mA的情況下該晶片功耗為614mW。
合作中,東芝除了提供自己先進的矽製造工藝和一些生產技術的研發支持外,東芝還對普瑞光電進行了股權投資,看好普瑞在固態照明領域的技術創新實力。該項投資將進一步促進雙方在固態照明行業為降低成本所做的努力。