晶片，是LED的核心部件。目前中外國有很多LED晶片廠家，然晶片分類沒有統一的標準，若按功率分類，則有大功率和中小功率之分；若按顏色分類， 則主要為紅色、綠色、藍色三種；若按形狀分類，一般分為方片、圓片兩種；若按電壓分類，則分為低壓直流晶片和高壓直流晶片。中外國晶片技術對比方面，外國晶片技術新，中國晶片重產量不重技術。

襯底材料和晶圓生長技術成關鍵

目前，LED晶片技術的發展關鍵在於襯底材料和晶圓生長技術。除了傳統的藍寶石、矽（Si）、碳化矽（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮 化鎵（GaN）等也是當前LED晶片研究的焦點。目前，市面上大多採用藍寶石或碳化矽襯底來外延生長寬帶隙半導體氮化鎵，這兩種材料價格都非常昂貴，且都為外國大企業所壟斷，而矽襯底的價格比藍寶石和碳化矽襯底便宜得多，可製作出尺寸更大的襯底，提高MOCVD的利用率，從而提高管晶產率。所以，為突破國際專利壁壘，中國研究機構和LED企業從矽襯底材料著手研究。

但問題是，矽與氮化鎵的高質量結合是LED晶片的技術難點，兩者的晶格常數和熱膨脹係數的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等技術問題長期以來阻礙著晶片領域的發展。

無疑，從襯底角度看，主流襯底依然是藍寶石和碳化矽，但矽已經成為晶片領域今後的發展趨勢。對於價格戰相對嚴重的中國來說，矽襯底更有成本和價格優勢：矽襯底是導電襯底，不但可以減少管晶面積，還可以省去對氮化鎵外延層的干法腐蝕步驟，加之，矽的硬度比藍寶石和碳化矽低，在加工方面也可以節省一些成本。

目前LED產業大多以2英吋或4英吋的藍寶石基板為主，如能採用矽基氮化鎵技術，至少可節省75%的原料成本。據日本三墾電氣公司估計，使用矽襯底製作大尺寸藍光氮化鎵LED的製造成本將比藍寶石襯底和碳化矽襯底低90%。

中外國晶片技術差異大

國際間歐司朗、美國普瑞(BRIDGELUX)、日本莎姆克(SAMCO INC)等一流企業已經在大尺寸矽襯底氮化鎵基LED研究上取得突破，飛利浦、韓國三星、LG、日本東芝等國際LED巨頭也掀起了一股矽襯底上氮化鎵基LED的研究熱潮。其中，在2011年，美國普瑞在8英吋矽襯底上研發出高光效氮化鎵基LED，取得了與藍寶石及碳化矽襯底上頂尖水平的LED器件性能相媲美的發光效率160lm/W；在2012年，歐司朗成功生產出6英吋矽襯底氮化鎵基LED。

反觀中國，LED晶片企業技術的突破點主要還是提高產能和大尺寸藍寶石晶體生長技術，除了晶能光電在2011年成功實現2英吋矽襯底氮化鎵基大功率LED晶片的量產外，中國晶片企業在矽襯底氮化鎵基LED研究上無大的突破，目前中國LED晶片企業還是主攻產能、藍寶石襯底材料及晶圓生長技術，三安光電、德豪潤達、同方股份等中國晶片巨頭也大多在產能上取得突破。

來源：世界LED網