東京大學藤岡洋教授的研究室2014年6月23日宣佈，開發出了在玻璃基板上用濺射法形成GaN基LED的技術。相關論文已發表在學術雜誌 《ScientificReports》上。除了與現有LED相比可大幅降低製造成本之外，新技術還有可能實現用無機LED製作有機EL那樣的大面積發光 元件。

藤岡教授的研究室在約2英吋（直徑約5cm）的玻璃基板上轉印了石墨烯多層膜，然後在石墨烯多層膜上用脈衝濺射法分別形成了AlN、n型GaN、由GaN與InGaN的多層構造構成的量子阱、p型GaN晶體。

藤岡表示，很早以前就開始開發利用濺射法製作LED的技術，「還沒有發佈過這些技術的詳細內容，只是在累積經驗」。

另外，藤岡研究室還在2008年開發出了在石墨片材上用「脈衝激勵沉積法（PXD）」形成GaN晶體的技術。

此次在可稱得上是最薄石墨片材的石墨烯片材上用濺射法形成了GaN晶體，並確認可實際發光。據介紹，分別製作了以紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）三原色發光的LED。

目前還無法檢測白色發光的發光效率，以及單色狀態下的外部量子效率，正在對極低溫條件下的內部量子效率進行評估。藤岡教授表示，「與藍寶石基板上製作的LED相比，內部量子效率要低好幾成」。今後的課題是如何將內部量子效率提高至與現有LED相當的水準。

來源：日經技術在線