英飛凌科技宣布收購位於德國德勒斯登的新創公司 Siltectra 。該新創公司開發一種創新的冷切割技術 ( Cold Split )，可有效處理晶體材料，並可大幅減少材料損耗。英飛凌將採用此 Cold Split 技術分割碳化矽 (SiC) 晶圓，使晶圓產出雙倍的晶片數量。英飛凌與該公司主要股東 ─ 創投業者 MIG Fonds 達成了 1.24 億歐元收購價格的協議。

英飛凌執行長 Reinhard Ploss 博士表示：「此次收購將協助我們利用新材料碳化矽擴展優異的產品組合。我們對系統的了解以及在薄晶圓方面的獨特專業技術將和 Cold Split 技術及 Siltectra 的創新能力相輔相成。 Cold Split 技術有助於我們以更多的 SiC 晶圓量產 SiC 產品，進一步擴展在再生能源，以及推動 SiC 在電動車傳動系統的使用率。」

(來源: Infineon)

Siltectra 技術長 Jan Richter 博士表示：「我們很高興能成為全球功率半導體市場領導團隊的一員。事實已經證明Cold Split技術有助於英飛凌產品提升效能，我們正攜手將技術用於量產。」

MIG 公司 MIG Fonds 管理者暨合夥人 Michael Motschmann 表示：「自從我們八年多前開始投資 Siltectra 以來，我們一直對 Cold Split 技術與這支傑出的團隊充滿期待。我們非常高興能找到英飛凌成為買家，他們的技術和文化都非常適合這家公司。此外，我們也很自豪能透過投資協助提升德國經濟競爭力。」

Siltectra 成立於 2010 年，至今持續發展包含 50 多個專利家族的 IP 矽智財組合。相較於一般切割技術，此新創公司開發的分割結晶材料技術耗損極低的材料。此技術也能應用於半導體材料 SiC，其需求預計將在未來幾年迅速成長。目前 SiC 產品已應用於效率極高的小型太陽能變頻器。未來，SiC 在電動車領域的重要性也將日益提高。 Cold Split 技術將在 Siltectra 目前位於德勒斯登的工廠及英飛凌位於奧地利菲拉赫的工廠實現工業化。預計將在未來五年內完成量產轉移。

英飛凌提供最廣泛的矽功率半導體產品組合以及創新的碳化矽 (SiC) 與氮化鎵 (GaN) 的基板，是目前全球唯一量產 12吋薄晶圓技術的公司，因此，英飛凌已準備好將薄晶圓技術運用於 SiC 產品。 Cold Split 技術將有助於確保 SiC 產品的供應，特別是長期而言。隨著時間的推移， Cold Split 技術可望再往進一步應用，例如晶棒分裂或用於碳化矽以外的材料。