在康佳集團的Micro LED未來顯示器發表會上，更邀請到2014年諾貝爾物理學獎得主，中村修二先生，來發表對於Micro LED 顯示器前景的看法，並分享目前該實驗室的技術進展。

中村提到，對比OLED顯示器，Micro LED的各種特性及指標都遠勝OLED，唯一需要克服的是成本的挑戰。為了降低成本，在微縮LED晶片尺寸的過程中，也會導致LED效率的同步下降。目前該研究團隊已經開發出10μm大小的晶片，其EOE效率能達到42%的全球領先指標。

除此之外，實現全彩化的Micro LED顯示器，需要紅，藍，綠三色LED的搭配。但是紅光LED屬於AllGaP材料 有別於藍綠光的InGaN材料，生產難度與效率都偏低。加上電流驅動不同的材料上也會有很多挑戰，因此該技術團隊也同時在研發在InGaN材料上，生長紅光LED，並得初步成果。

LEDinside最新研究報告《2019 Micro LED次世代顯示關鍵技術報告》指出，Micro LED技術雖面臨眾多的挑戰，但對比兩年前，目前的技術進展已經進步許多，早期的專利技術已經有實體樣品展示機的出現，未來Micro LED商品化的時程將隨著Micro LED技術的成熟而加快。