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據報導,韓國首爾國立大學(SNU)的研究團隊成功在100nm的藍寶石奈米膜上生長出Micro LED陣列。
據論文顯示,SNU的材料科學和工程系團隊設計出一種藍寶石奈米薄膜陣列,用於生長尺寸為4μm × 16μm的Micro LED陣列。這種方法毋須經過等離子蝕刻製程就能夠實現Micro LED晶片的單片化,提供更高的外量子效率(EQE)。
圖片來源: 《科學報告》/SNU
相比在平面基板上生長的氮化鎵基Micro LED,在藍寶石奈米薄膜上生長Micro LED的新方法將Micro LED的像素錯密度降低了59.6%,內量子效率(IQE)提高了44%。此外,由此方法生長出的Micro LED的光致發光能力是前者的3.3倍。
同時,還可以通過物理破壞藍寶石奈米薄膜,輕易將Micro LED與基板分離並轉移至顯示驅動背板上,簡化製程並降低成本。
研究團隊認為,此技術突破克服了現階段Micro LED製造技術的局限,將加快Micro LED顯示技術的商業化進程。
研究結果已發表在《科學報告》(Scientific Reports)雜誌上。除了SNU研究者以外,三星尖端技術研究院(Samsung Advanced Institute of Technology)、韓國科學技術院(KAIST)以及韓國光子技術研究所(Korea Photonics Institute)也參與了這項技術研究,並獲得三星未來技術推廣中心(Samsung Future Technology Promotion Center)、韓國教育部BK21 Plus項目及韓國研究基金會(Korea Research Foundation)的支持。(編譯:LEDinside Janice)