三安光電子公司三安集成於日前宣布，已經完成碳化矽 MOSFET 器件量產平台的打造。

三安集成方面介紹，本次推出的 1,200V 80mΩ 碳化矽 MOSFET 已完成研發並通過一系列產品性能和可靠性測試，其可廣泛適用於光伏逆變器、開關電源、脈衝電源、高壓 DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域，目前多家客戶處於樣品測試階段。

與傳統的矽基 IGBT 功率器件相比，寬禁帶碳化矽材料擁有更高的耐壓和耐熱、更快的開關頻率和更低的開關損耗的特性。在相同的功率下，碳化矽 MOSFET 自身器件損耗小，極大減小了器件的散熱需求，使系統朝著小型化，輕量化，集成化的方向發展。

此外，三安集成的碳化矽 MOSFET 透過優化器件結構和布局，大大增強碳化矽體二極管的通流能力，不需要額外並聯二極管，降低系統成本和減小系統體積。三安集成通過反複試驗和優化柵氧條件，閾值電壓的穩定性得到明顯提高，1,000hr 的閾值漂移在 0.2V 以內。

據悉，三安集成碳化矽肖特基二極管於 2018 年上市後，已完成了從 650V 到 1,700V 的產品線布局，並累計出貨達百餘萬顆。從碳化矽肖特基二極管到 MOSFET，三安集成在 3 年時間內便完成了碳化矽器件產品線布局。

值得關注的是，目前行業內碳化矽 MOSFET 不斷傳出缺貨的聲音，三安集成加速碳化矽器件產能擴張。今年 7 月計劃總投資 160 億元在長沙高新區開工建設占地 1,000 畝的湖南三安碳化矽全產業鏈園區，目前專案一期工程建築主體已拔地而起，計劃將於 2021 年 6 月開始試產。

（LEDinside 整理；首圖來源：三安集成）