憑藉高解析度、高亮度、高可靠性、低功耗等諸多優勢，以及多元的應用場景，Micro LED迎來廣闊的發展前景，各大企業加速佈局，助推Micro LED商業化進程落地。

繼第一代玻璃基透明被動驅動Micro LED顯示模組──nStar Ⅰ之後，近日，國星光電又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。

據悉，nStarⅠ是國星光電在2020年6月推出的第一代Micro LED，採用玻璃基板製程，全彩顯示，透明度達60％。

此次推出的第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ為一款3.5吋玻璃基Micro LED全彩顯示螢幕，畫素間距300微米（P0.3），採用TFT驅動實現了8bit（256灰階）色深的顯示效果。

同時，基於自主搭建的Micro LED技術創新研發平台，nStar Ⅱ突破了巨量轉移及巨量鍵合雙重技術難題，其綜合良率提升至99.99%，未來相關技術成果未來有望在大尺寸拼接智慧螢幕等高清顯示產品中獲得廣泛應用。

▲ Micro LED Display：nStar Ⅱ。（Source：國星光電）
 

據介紹，nStar Ⅱ玻璃基主動式驅動Micro LED顯示螢幕是通過巨量轉移技術將Micro LED微型晶片鍵合到玻璃基板上，利用TFT驅動實現高清畫面顯示。在向更微型和更高密度LED晶片集成製程迭代過程中，可在大面積上獲得超精細線路結構的TFT玻璃基板是理想的技術選擇。

此外，主動式驅動TFT背板既能實現Micro LED模組畫素獨立控制，避免驅動畫素串擾，又能在提升模組顯示亮度均勻性的同時大大降低功耗。

據悉，近年來，國星光電正從產品研發、技術專利儲備、生產、企業合作等全方面入手積極推進Micro LED業務的發展。

2018年，國星光電在國內率先成立Mini & Micro LED研究中心，兩年後年又成立了廣東省半導體微顯示重點實驗室，聯手產業鏈上中下游各個環節，同推進Mini/Micro LED產業化進程。

得益於前瞻性佈局，國星光電於2021年10月成功開發出高一致性畫素化量子點色轉換彩膜製備技術，有效解決Micro LED紅光晶片良率低、光效低、巨量轉移難度高的技術痛點，推動高解析度Micro LED全彩化顯示的研發。

今年7月，國星光電推出新型MIP封裝器件方案。據悉，該方案基於扇出封裝技術思路，國星光電通過自主開發的巨量轉移技術，採用黑化基板與高光提取封裝路線構建全新MIP器件，大幅提高器件光電性能。

目前，國星光電已在巨量轉移、共晶鍵合、量子點全彩化、檢測修復、高可靠性封裝等Micro LED領域多項關鍵技術上取得突破，Mini/Micro LED領域已申請發明專利100餘件。

接下來，國星光電佈局深耕新型微顯示賽道，在玻璃基Micro LED技術路線方面，將重點佈局高階智慧螢幕、車載顯示螢幕和智慧手錶；在矽基Micro LED技術路線方面，重點佈局AR顯示領域。

（ LEDinside整理）