名城大學與KAUST研發疊層全彩Micro LED

近日,外媒報導,日本名城大學與沙特阿卜杜拉國王科技大學(KAUST)共同研發了畫素密度為330PPI的單片疊層RGB氮化鎵銦(GaInN)Micro LED陣列。

研究人員表示,該產品可應用在AR/VR/MR等頭戴智慧設備上,這些設備所需的微米級畫素顯示無法通過機械組裝技術製造,因此需要用到單片製造技術。

對於氮化鎵銦材料的應用,研究人員解釋到,雖然基於氮化鎵銦的LED在較長波長下遇到了較大的效率問題,但對於可見光譜裡的紅光效率,氮化鎵銦已取得了新的進展。此外,相較常用的紅光LED材料磷化鋁鎵銦,氮化鎵銦LED的發光效率受Micro LED尺寸縮小的影響較小。

在Micro LED外延製造階段,研究團隊通過金屬有機氣相外延(MOVPE)技術,分兩個階段在GaN 基板上生長RGB Micro LED陣列材料。其中,藍光和綠光層由名城大學團隊負責生長,最後的紅光階段由KAUST團隊負責生長,RGB層間由隧道結(Tunnel Junctions,TJ) 分隔。



▲ LED多重堆疊結構的橫截面示意圖。
 

為了提高紅光層的發光效率,紅光層特別包含了超晶格外延堆疊層以及紅光和藍光單量子阱(SQW)。研究人員表示,在紅光LED結構中的n型GaN層和有源層之間插入藍光氮化鎵銦超晶格和氮化鎵銦SQW,對於提高紅光LED的發射效率起到了有效作用。研究人員還指出,Micro LED所使用的GaN襯底非常昂貴,為了生產,有必要改用更便宜的材料,如藍寶石材料。

在外延製造完成後,該材料被製作成密度為330PPI的RGB畫素(如圖2)。Micro LED的尺寸為73μm x 20μm,器件檯面尺寸為35μm x 15μm。



▲ 圖2:Micro LED陣列製程流程示意圖。
 

經研究人員測試,從基板側收集到的數據顯示,在電流密度為50A/cm²下的藍-綠-紅Micro LED 電致發光(EL)光譜的峰值波長分別為486nm、514nm和604nm(圖3)。相應的半峰全寬(FWHM)為29nm、31nm和52nm。研究人員表示,這些數值與單獨製造的LED器件數值相似。



▲ -綠-紅Micro LED電致發光(EL)光譜。
 

而在10A/cm²的注入電流下,綠光Micro LED的光輸出功率(LOP)幾乎達到0.8 μW,紅光和藍光的LOP分別小於0.2μW和0.1μW。

(LEDinside Irving編譯)

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