近日，國內外大學相繼在Micro LED研究上有新進展：

香港科技大學研發全彩Micro LED製作新技術

香港科技大學（HKUST） 的研究團隊展示了一種新技術，可利用InGaN和AlGaInP半導體材料的異質整合實現全彩Micro LED顯示器。

據悉，研究團隊製造了一個Micro LED微型顯示器原型，具有200x80畫素和每英吋391畫素的超高解析度。為了實現全彩顯示效果，團隊開發了一種整合藍、綠和紅光的Micro LED陣列雙層顯示架構。

透過異質整合的方法，團隊能夠利用InGaN和AlGaInP材料的高效率分別實現藍、綠和紅光發射。

研究人員表示，新技術與多堆疊晶圓鍵結或顏色轉換等現有技術相比，其簡化了製造流程。利用該技術，研究團隊成功地在微顯示器上顯示全彩影像，顯示器具有109% sRGB色域和300尼特的亮度。研究團隊表示，透過增強畫素驅動器和優化GaN雙色外延片的方法，可以進一步改善微顯示器的顏色混合併實現超過4000尼特的亮度。

謝菲爾德大學研發外延生長Micro LED技術

謝菲爾德大學的研究人員開發了一種Micro LED製造新方法，稱為Confined selective epitaxy （CSE） 的技術。該技術允許在外延生長過程中直接形成Micro LED，而不是使用傳統的蝕刻製程。新技術避免等離子體損壞，顯著提高Micro LED的性能和功能。研究團隊表示CSE技術可有效解決Micro LED面臨的多項生產挑戰。

根據團隊介紹，在效率方面，CSE技術實現了尺寸為3.6μm的綠光Micro LED，峰值外部量子效率達到9%，較蝕刻技術打造的Micro LED提升1~5%。

在波長方面，CSE技術可實現以直接生長紅光642nm的Micro LED，具有1.75%的外量子效率。在電流洩漏方面，CSE技術可將Micro LED側壁洩漏電流密度降低至3×10-6A/cm²，減少顯示器畫素的無意啟動。

在集成度方面，CSE技術實現了Micro LED與HEMT驅動器電子裝置的直接集成，避免了複雜的組裝步驟。

（LEDinside Irving編譯）