12月11日，外媒消息，韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊共同開發了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，透過該技術研究團隊生長出了LED微型陣列，並稱作微盤陣列（Microdisks arrays）。實驗結果表明，微盤陣列表現出了優異的結晶度，並可發出平面內方向一致且亮度較強的藍光。

據悉，研究人員使用金屬有機氣相外延技術在覆蓋有微圖案SiO2 掩模的石墨烯層上生長GaN微盤。然後將微盤加工成Micro LED，並成功轉移到可彎曲基板上。這項研究表明，可透過石墨烯上生長出高品質LED，並將其整合到靈活的Micro LED設備中。

值得注意的是，首爾國立大學的研究團隊近年來正在深入進行Micro LED技術的研究，並透過與韓國知名顯示器企業之間的合作，陸續開發出先進的Micro LED製造技術。

就在今年的7月，首爾國立大學與LG電子的科學團隊在《自然》（nature）雜誌上發表了一種稱作流體自組裝（FSA）的巨量轉移新技術，透過搖晃運動的方式將Micro LED晶片定位並黏合在基板上。

實驗結果顯示，透過應用FSA技術，可在60秒的時間內組裝一個具有超19,000個Micro LED晶片的兩吋藍光面板。若仔細控制液體的黏度，此轉移技術還可達到高達99.9%的Micro LED組裝良率。

這項巨量轉移新技術可大幅縮減Micro LED顯示產品的製作時間與成本。該技術預計在未來5年應用在Micro LED智慧型手機、平板電腦、智慧手錶和擴增實境設備等顯示產品的生產中。

除此之外，在2020年，首爾國立大學團隊也成功在100nm的藍寶石奈米薄膜上生長出Micro LED陣列。研究團隊設計出藍寶石奈米薄膜陣列，用於生長尺寸為4μm×16μm的Micro LED陣列。這種方法無需經過等離子蝕刻製程就能夠實現Micro LED晶片的單片化，提供更高的外量子效率（EQE）。

（LEDinside Irving整理）