12月19日消息，近日韓國科學技術院（KAIST）Keon Jae Lee教授領導的研究團隊在《自然》（Nature）雜誌上發表了一篇題為「應用微真空力技術進行通用選擇性轉移印刷」的文章，研究團隊展示了透過選擇性調節微真空力方法，實現巨量轉移微型無機半導體晶片。

據悉，Micro LED是下一代顯示器的光源，採用尺寸小於100 μm的無機LED晶片打造而成，與LCD、OLED和QD等傳統顯示器相比，Micro LED因其卓越的電/光學特性、可靠性和穩定性而引起了廣泛關注。但由於Micro LED尺寸較小等緣故，面臨巨量轉移等一系列生產流程問題。

為能夠解決Micro LED晶片轉移效率問題，Keon Jae Lee教授的研究團隊開發了微真空輔助選擇性轉移印刷（μVAST）技術，透過調節微真空吸力來轉移大量的Micro LED晶片。

▲ 微真空輔助選擇性轉印（μVAST）技術。（Source：Nature）
 

據介紹，μVAST這項關鍵技術依靠雷射誘導蝕刻（LIE）方法實現，這種蝕刻方法可在玻璃基板上以高達每秒7,000個孔的製造速度形成尺寸為20微米並具有高長寬比的微孔陣列。之後LIE方法所打造的鑽孔玻璃將與真空通道連接，透過控制所需孔陣列處的微真空力，以選擇性地拾取和放置Micro LED。

與傳統的轉移方法相比，微真空輔助轉移印刷技術實現了更高的黏附可切換性，能夠將各種不同材料、尺寸、形狀和厚度的微型半導體高效轉移組裝到任意基板上。

Keon Jae Lee教授表示，微真空輔助轉移技術為大規模、選擇性整合微型高性能無機半導體提供了一種有趣的工具。

Keon Jae Lee教授也透露，目前，團隊正在研究使用噴射器系統（ejector system）對商用Micro LED晶片進行轉移列印，實現Micro LED大尺寸電視、柔性設備和可穿戴光療貼片等產品的製造。

值得注意的是，2023年，韓國科學技術院的多個研究團隊在Micro LED領域有多個新研究成果發表。

例如，3月，韓國科學技術院物理系Yong-Hoon Cho 教授的研究團隊開發了一項製造超高解析度LED顯示器的核心技術，透過聚焦離子束（focused ion beams）實現了0.5微米的LED畫素，小於頭髮平均厚度的1/100；

同月，韓國科學技術院電氣電子工程系Sang Hyeon Kim教授的研究團隊構建了一種對側壁缺陷不敏感的外延結構，以解決Micro LED器件小型化導致效率降低的問題。

（LEDinside Irving編譯）