牛津儀器向英國 Micro LED 製造商供應 ALD 設備

1月24日,英國牛津儀器(Oxford Instruments)宣布,公司已向英國知名Micro LED廠商供應原子層沉積(ALD)設備,以支援最新AR/VR設備和顯示產品的生產。牛津儀器表示,ALD設備可為高密度、極高亮度、低功耗和高幀率RGB像素陣列沉積高K介電超薄膜,滿足XR設備、智慧穿戴設備的應用需求。

資料顯示,牛津儀器業務主要分為奈米分析設備、工業分析設備及服務三大部分,其產品包括沉積與蝕刻設備、光學成像設備、低溫系統、電子顯微鏡、核磁共振設備等,可用於半導體、微電子、量子科技、光子學、鋰電池、能源生產與儲存等領域。

之前,牛津儀器曾與台灣工研院多次合作,在HBLED、MEMS、Micro LED、矽光子學、奈米分析等領域獲得豐富成果。

據悉,原子層沉積(Atomic layer deposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處,目前主要應用於半導體和奈米技術領域。

在第14屆國際氮化物半導體會議(ICNS 2023)上,眾多專家講者強調了等離子原子層沉積技術在防護Micro LED生產損傷方面的優勢,並證明了等離子體原子層沉積技術可顯著提高Micro LED晶片的外部量子效率,因此原子層沉積技術是未來微型光發射器發展的關鍵。

牛津儀器表示,該公司的低損傷等離子原子層沉積技術獲得市場關注。該公司的等離子ALD高K鈍化解決方案,針對具有較小活性區域的Micro LED微晶片進行了優化,並且方案可將Micro LED外部量子效率翻倍。

(LEDinside Irving編譯)

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