近日、華為、長虹、康佳、兆馳半導體、廈門大學相繼公佈了Micro LED發明專利，涉及提升Micro LED光效、提高巨量轉移效率、Micro LED螢幕指紋識別應用等。

華為：申請Micro LED顯示面板專利，可增大發光區面積提升光效

根據國家智慧財產局公告，華為技術有限公司申請一項名為“一種Micro LED顯示面板、顯示設備及製造方法“，公開號：CN117690946A，申請日期為2022年9月。此方案可增大發光區面積，提升光效。不需要巨量轉移，提高合格率。防止光串擾，利於電流分佈均勻。

圖片來源：國家智慧財產局

具體專利摘要內容如下：本申請揭露了一種Micro LED顯示面板、顯示設備及製造方法，包括多個顯示結構，每個顯示結構包括：第一電極、第二電極、第一半導體層、第二半導體層和發光層；相鄰的顯示結構的第一電極、第一半導體層和發光層相互獨立；第一半導體層和第二半導體層分別位於發光層的兩側表面；第一電極位於第一半導體層背離發光層的一側，第二電極位於第二半導體層背離發光層的一側；每個顯示結構的發光層對應一個像素區；第二電極圍繞每個像素區走線，第二電極為各像素區的公共電極，且為相鄰像素區之間的金屬擋牆。

長虹電子：公佈兩項Micro LED發明專利

3月12日，長虹電子與啟睿克科技公佈了「Micro LED表面結構及製備方法」的發明專利，申請公佈號： CN117693216A 。

圖片來源：國家智慧財產局

為了提高量子點光提取效率及準直效果，該專利提供了Micro LED表面結構及製備方法，透過在Micro LED晶片表面建構金​​屬奈米環結構，當奈米環結構參數與中心量子點光波長相符時，會產生強烈的準直效應，可實現發出光線的定向準直功能；底部金屬反射器收集量子點光源向下發出的光線，並反射至晶片發光方向，增加了發光方向的光子數，從而大大增加了量子點Micro LED晶片在垂直方向上的光提取效率。

另外，3月15日，長虹電子與啟睿克科技共同公開了一項發明專利，名為“一種基於Micro LED的屏幕指紋識別裝置和方法”，申請公佈號：CN117711037A。

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為了解決目前的Micro LED的螢幕指紋辨識需要設定額外的感應器，產生額外的光口比的問題，以及需要使用者觸摸指定的區域進行解鎖，操作不簡便的問題；

該專利發明提供一種基於Micro LED螢幕的指紋辨識裝置，當需要指紋辨識功能時，觸控感應模組確認手指的按壓位置，手指下方的第一LED晶片用作指紋識別的光源，與第二LED晶片連接的像素驅動電路測量第一LED晶片發射的光線經過指紋凸起和凹陷處的反射光在第二LED晶片上產生的光電流的電壓差，確定指紋的形狀；指紋識別功能完成，Micro LED螢幕恢復正常顯示狀態。

康佳：Micro LED保護膜、結構、顯示裝置及電子設備

3月12日，深圳康佳電子科技有限公司「Micro LED保護膜、Micro LED結構、顯示裝置及電子設備」的發明專利進入授權階段。

該發明專利利用半透膜邊緣的吸光材料吸收大角度的光線，有效改善了拼接縫亮線問題。

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具體專利摘要內容如下：本發明公開了一種Micro LED保護膜、Micro LED結構、顯示裝置及電子設備，Micro LED保護膜包括吸光材料以及單層半透膜或複合層半透膜，單層半透膜的邊緣包圍有吸光材料，複合層半透膜包括由內而外依次疊置的多層折射率相同或不同的半透膜，複合層半透膜的邊緣包圍有吸光材料。


兆馳半導體：一種Micro LED巨量轉移方法

3月15日，兆馳半導體的發明專利「一種Micro LED巨量轉移方法」公佈，申請公佈號CN117712241A。此技術無需高精度設計，可根據晶片的不同高度進行黏附轉移，且能提高轉移速率，並確保轉移的高良率。

圖片來源：國家智慧財產局

具體專利摘要內容如下：本發明提供一種Micro LED巨量轉移方法，包括以下步驟：提供一基板，並在基板上製備晶片；提供一基板，並在基板一面設置鍵合膜；將基板與基板進行臨時鍵結；對晶片進行襯底剝離；在晶片遠離基板的一側設置柱體；提供一轉移頭，將轉移頭的第三粘合部貼合柱體，以基於各柱體的高度差，同時將多個第一晶片或第二晶片或第三晶片從基板轉移至電路板。透過採用光固化樹脂，選擇性固化出不同高度的晶片底座，並基於UV解黏膠的光照降低晶片與基板之間的黏性，最後基於高黏度的轉移頭對晶片進行批量轉移。

廈門大學：提升Micro LED光萃取效率

3月15日，廈門大學公佈了一項發明專利，名為「一種提升光提取效率的Micro LED裝置結構及製作方法」。申請公佈號碼：CN117712263A。該發明透過減少電流密度差異，提高電子在材料中的遷移率，以改善電流在裝置中的分佈，降低電流密度，並減緩電流擁擠效應。從而大幅提升裝置性能。

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具體來看，該發明公開了一種提升光提取效率的Micro LED裝置結構及製作方法，其結構的外延層由背面至正面按序包括n-GaN層、MQW和p-GaN層，並透過由正面蝕刻至n-GaN層形成發光檯面，第一電流擴展層設於發光檯面的p-GaN層上，p電極和n電極分別設於第一電流擴展層和n-GaN層上，鈍化層、反射層和絕緣層依序覆蓋裝置結構的正面，p電極和n電極分別透過貫穿鈍化層、反射層和絕緣層的鍵結金屬引出；n-GaN層在發光檯面區域透過蝕刻形成若干通孔，第二電流擴展層填充於通孔。（LEDinside整理）

 

TrendForce 2023 Micro LED 市場趨勢與技術成本分析
出刊日期: 2023 年 05 月 31 日 / 11 月 30 日
語言: 中文 / 英文
格式: PDF
頁數: 160 頁 / 年