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11月28日，外媒消息，日本名古屋大學的研究人員研究了一種方法，可在保持LED效率的同時使LED變得更亮。這項研究有望降低LED生產成本和對環境的影響，同時提升其在可見光通信和虛擬現實（VR）眼鏡等應用中的性能。相關研究成果以“ 如何製造具有高內量子效率的半極性 InGaN 發光二極管:內場的重要性 ”文章發表在 《激光與光子學評論》 （ 激光與光子學評論 ）期刊上。
圖片來源：Optics.org
據悉，銦鎵氮化物LED被認爲是最高效的光源之一，但它們通常僅在低功率水平下運行。為了獲得更高亮度的光，需要增加其功率。然而，向LED增加更多功率會導致其效率下降，這種現象被稱爲效率下滑。
一種克服效率下滑的方法是增加LED的面積，從而提高光輸出，但這也需要使用更大的芯片。然而隨着芯片尺寸變大，晶圓能夠生產的LED數量將減少，從而導致更高的生產成本和更大的環境影響。
對此，研究人員通過傾斜InGaN層並以不同的方向切割晶圓的方法，改變所得晶體的極化特性，從而減少了LED效率下滑。研究人員在一種廉價的藍寶石基底上製造了（101̅3）方向的LED，這些LED在更高功率下擁有更好的效率表現。
這一發現爲製造商開發下一代LED技術提供了創新方法，例如開發更高效、更明亮的Micro LED顯示屏，適用於移動設備和大屏幕電視中；開發更高電流密度的LED，應用於汽車和特種工業照明應用；開發更快開關速度的LED，應用在可見光通訊技術和VR眼鏡中。
研究人員表示，未來的研究很可能無法找到比這更好的切割方向，特別是在藍寶石基底上。
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