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7月22日,美國Micro LED顯示技術初創公司Q-Pixel發布其最新巨量轉移技術Q-Transfer,新技術實現了超過99.9995%的轉移良率,遠超傳統巨量轉移方法。
圖片來源:Q-Pixel
Q-Pixel展示了基於Q-Transfer技術制造的Micro LED原型顯示面板。該面板采用了10μm的可調波長多色LED (Tunable Polychromatic LED(TP-LED))像素,具備每英寸500像素以上(PPI)的高密度顯示效果。在Micro LED轉移過程中,無任何像素缺失情況出現,展現超99.9995% 的高轉移良率。
Q-Pixel方面表示,Q-Transfer技術發布是公司發展的關鍵里程碑。Q-Transfer技術為顯示產業帶來了更簡單、更具成本效益的Micro LED解決方案,釋放了Micro LED的潛力,不再局限於AR/VR市場,還可拓展至智能手表、智能手機及其他大尺寸設備市場。
值得注意的是,此前Q-Pixel已發布多款高清Micro LED顯示器產品,包括自研的全球最高分辨率全彩主動式矩陣顯示器(6800 PPI)、全球最小全彩像素(直徑僅1微米)制成的被動式10000 PPI Micro LED顯示器等產品。隨著巨量轉移技術的突破,未來Q-Pixel將有望推出更多高清全彩Micro LED顯示產品。
巨量轉移技術持續突破中
巨量轉移是Micro LED產業化的難點之一,如何將幾百萬甚至數千萬顆微米級LED芯片從生長襯底上高速、精準、低成本地轉移至驅動背板上,是行業長期面對的課題。
然而隨著時間的推移,巨量轉移的問題正在被逐漸攻破,企業通過不同解決方案,持續提升這巨量轉移的良率,加速Micro LED量產進程。
除Q-Pixel外,國內也有許多LED、顯示企業也在持續突破巨量轉移難題當中。
在LED領域,今年4月,利亞德發布了新一代黑鉆(Hi-Micro)技術,采用了自主研發的激光巨量轉移工藝打造,提升了轉移效率與系統穩定性。
洲明科技通過布局MiP封裝技術,突破巨量轉移技術難題,實現了Micro LED 30 μm*50μm尺寸無襯底技術0202封裝,並同步實現MiP P0.4間距顯示產品的量產。
國星光電則在積極研究Micro LED前沿技術,通過聚焦Micro LED巨量轉移技術瓶頸問題,研發出平面熱壓巨量鍵合工藝,實現Micro LED芯片與基板高精度、高密度電氣連接,保障Micro LED產品實現高分辨率、高亮度、高色彩飽和度的顯示特性。
辰顯光電在去年底發布了新一代TFT基Micro-LED拼接屏,采用了尺寸僅為25微米的Micro-LED芯片,通過國際領先的99.995%的巨量轉移及修覆良率,屏幕搭載了3300萬顆LED(88英寸P0.5產品)。辰顯光電表示,巨量轉移及修覆方案已到量產準備階段。
深康佳在Micro LED領域主要供應的Micro LED外延產品主要是4英寸和6英寸產品。深康佳此前曾表示,公司的混合式巨量轉移技術良率已達到99.999%,所生產的產品可應用於智能穿戴、AR/VR、車載及大屏顯示等領域。
除LED廠商外,許多面板廠商也在積極布局Micro LED,因此,這些企業也是助力突破巨量轉移難題的關鍵一份子。
例如,京東方同時發展基於COG (Chip-on-Glass)和COB(Chip-on-Board) 技術的RGB Mini/Micro LED直顯解決方案,以及Mini LED背光解決方案 。此前,京東方已與國際裝備公司合作開發巨量轉移技術,完成第2.5代巨量轉移先導線建設。
TCL華星與三安光電成立了合資公司芯穎顯示,公司主要聚焦在LED芯片小型化、發光效率提升、轉移鍵合技術開發、背板材料工藝研究以及驅動和補償算法優化等四大技術攻克上。
深天馬在去年底完成了G3.5代Micro LED生產線貫通,該產線利用LTPS TFT玻璃基板和先進的全激光巨量轉移工藝,能夠生產出無尺寸限制、可無邊框拼接的Micro LED顯示產品。
友達在Micro LED的關鍵制程,特別是巨量轉移技術上投入研發,已開發出自有的解決方案,以提高生產效率和良率...
小結
目前,國內外企業都在Micro LED關鍵制程上進行著最新布局,持續推進巨量轉移等難點技術的研究,在此背景下,未來Micro LED產業化難題有望再次加速突破。(文:LEDinside Irving)
TrendForce 2025 Micro LED 顯示與非顯示應用市場分析
出刊日期: 2025年5月29日/ 11月 30 日
語系: 中文 / 英文
格式: PDF
頁數:87
TrendForce 2024 近眼顯示市場趨勢與技術分析
出刊日期: 2024年07月31日
語系: 中文 / 英文
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頁數:139
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