8月4日，外媒消息，英國半導體材料企業Kubos Semiconductors近日宣布完成新一輪超過210萬美元（約合人民幣1417萬元）融資，用於加速其專利立方體氮化鎵（cubic GaN）Micro LED技術在高速光互連領域的開發。

圖片來源：Kubos

本輪資金由英國創新署Growth Catalyst項目資助，並獲威爾士發展銀行、低碳創新基金3期、S4C數字媒體及現有股東配套投資。至此，公司累計融資規模突破800萬美元。

Kubos於2017年從英國劍橋大學分拆成立，目前在劍橋和卡迪夫兩地運營，專注於開發立方體氮化鎵材料以突破傳統LED技術瓶頸。

與當前產業界普遍采用的六方晶系氮化鎵（hexagonal GaN）不同，立方體氮化鎵在晶體結構層面消除了內部電場，具有更窄的帶隙，可顯著提升紅光與綠光波段的發光效率，解決綠光LED的發光效率低下的難題。

立方體氮化鎵技術采用金屬有機化學氣相沈積工藝，在6英寸矽基碳化矽襯底上生長，並可擴展至8英寸及以上尺寸，與現有商用LED制造產線兼容。

Kubos本輪融資的重點方向是將立方體GaN Micro LED應用於AI基礎設施與數據中心的高速光互連場景。Kubos計劃開發具備GHz級開關速度且低功耗運行的Micro LED器件，以支持下一代光通信需求。

公司目標在三年內通過知識產權授權模式進入Micro LED市場，同時繼續推進其在可見光全譜段的高效Micro LED研發，滿足光通信、顯示、照明應用需求。

近年來，Kubos持續獲得英國本土創新資金支持。2024年5月，公司完成200萬美元融資，用於提升紅光Micro LED效率以推動AR/VR顯示應用。2023年8月，公司獲得Innovate UK未來經濟投資者夥伴關系70萬英鎊資助，目標實現紅光Micro LED效率達到5%。

在知識產權方面，其核心立方體氮化鎵工藝與產品技術已在中國、日本、新加坡和美國獲得專利，碳化矽外延技術亦納入專利組合。
作為無晶圓廠半導體企業，Kubos深度依托南威爾士化合物半導體產業集群開展研發與測試，與卡迪夫大學化合物半導體研究所、化合物半導體中心及全球外延片供應商IQE保持緊密合作。

隨著AI算力基礎設施對高速光互連需求激增，以及AR/VR設備對高亮度、低功耗顯示的持續追求，Kubos所代表的立方GaN技術路線正受到產業界與資本界越來越多的關注。（LEDinside整理）

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