9月30日，三安光電公眾號消息，三安光電聯合清華大學、廈門大學組成的產學研團隊宣布，經過兩年協同攻關，在堆疊式全彩Micro LED前沿預研上取得關鍵進展，完成了從底層原理到核心工藝的系統性驗證。

與紅綠藍像素橫向排布的傳統方案不同，垂直堆疊架構將不同顏色的LED外延結構逐層縱向集成，擺脫橫向空間對像素尺寸的束縛，可大幅縮小像素間距、提升集成密度，被視為突破尺寸受限、色度不均與光效瓶頸的重要路徑，也是全球Micro LED前沿預研的核心方向之一。

據披露，此次合作中三安光電發揮在MOCVD設備工藝與應力調控方面的積累，高校團隊側重基礎科學研究，雙方已在4英寸晶圓上完成堆疊架構工藝的底層驗證與可行性論證。

制程管控方面，三色半峰寬顯著收窄：紅光降至42nm、綠光低至27nm、藍光達17nm，意味著數百萬顆微米級像素的色偏得以有效控制，為實現95%以上BT.2020廣色域覆蓋目標打下基礎。

更值得關注的是光效表現。團隊基於半導體物理與光學原理創新設計了新型隧道結結構，同步優化載流子注入效率與光子傳輸損耗，器件光提取效率明顯提升。經國家權威檢測機構驗證，藍光外量子效率（EQE）達32%，已對齊行業先進量產水準；綠光EQE為20%；紅光EQE則突破3%，從原理層面進一步解決堆疊架構紅光低效的瓶頸。低功耗、高光效的特性組合，也讓該架構在AR/VR近眼顯示、高端超高清等場景的適配潛力得到驗證。

從4英寸晶圓的納米級外延調控，到微米級像素穩定點亮，該團隊歷經兩年時間便走完了海外知名實驗室約五年的技術歷程。

作為國內化合物半導體龍頭，三安光電主營業務覆蓋LED外延芯片、射頻、濾波器、電力電子及光通信芯片等。

公司在Micro LED領域的產業化根基主要由湖北三安承載——該基地總投資120億元，現已形成每月15萬片芯片與1000KK特種封裝產能，巨量轉移良率達99.99%、精度±1μm，量產芯片可實現5000PPI以上像素密度，6英寸Micro LED芯片產能正由每月2000片擴至3000片。

Micro LED商業化層面，三安光電的Micro直顯產品持續向國內外頭部客戶供貨，Micro-MiP商用大屏市占率穩步提升；車用Micro ADB前大燈芯片已與頭部企業啟動戰略合作；面向PHUD、智能手表及2.5μm間距AR顯示等消費級應用的產品研發持續推進；在Micro LED光互聯方向也與多家客戶展開驗證合作。

此次堆疊全彩Micro LED的技術驗證，是三安光電在並排列化、巨量轉移之外的又一條前瞻技術儲備路徑。短期業績承壓不改其高端化主線，隨著AR/VR與超高清場景逐步放量，底層架構層面的布局有望為其在下一代顯示競爭中爭取更多主動權。

TrendForce 2026 Micro LED 顯示與非顯示應用市場分析
出刊時間: 2026 年 09 月 15 日
檔案格式: PDF
報告語系: 繁體中文 /英文