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TILS 2011:普詮電子股份有限公司VisEra半導體封裝製程高功率產品特性

2011-01-05 16:43 [編輯：jasminezhuang]

◆ 專利之微型化半導體微機電製程
◆ 熱阻值可低於5℃/W
◆ 透過矽晶穿孔、鑄模透鏡以及均勻螢光材料塗佈等技術，能夠迅速量產並降低成本
◆ 極低的介面溫度 junction temperature (< 50C at Ta=25C)
◆ 最大額定電流：500 mA  (標準電流：350 mA)
◆ 出光角度：120°
◆ 封裝尺寸：3.37 mm * 3.37 mm
◆ 符合照明市場需求色溫分佈
◆ 熱電分離設計
◆ 符合RoHS
◆ 封裝尺寸：3.37 mm * 3.37 mm

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