HPO聯勝光電-全世界唯一專業製造全光譜(從紫外線365nm到紅外線940nm)垂直結構Silicon基板LED晶片製造商。

(1) SiliLED5：紅光/黃光；SiliLED8：紅外線。

 (2) SiliLED9：綠光/藍光，紫外線。

聯勝光電擁有全世界最早的矽基板鍵結技術與專利，此關鍵技術在MOCVD磊晶成長結束後，將原本的基板置換成矽基板，使LED晶片具有優異的熱傳導 能力，可提升元件信賴度，並能在高電流操作下得到更優異的光效輸出，成功開發出以Silicon為基板之系列產品，包括SiliLED5磷化物、 SiliLED8砷化物與SiliLED9氮化物。

聯勝光電總經理張智松博士表示公司長期投入研發的磷化物紅、黃光SiliLED5磷化物產品在市場上廣獲好評，近期成功開發出採用新型反射鏡技術， 應用在汽車用煞車燈、尾燈0.2W紅光 PLCC封裝產品亮度可達3000mcd，另外使用於方向燈0.5W紅光 PLCC封裝產品亮度更達到8000mcd。

SiliLED8砷化物紅外線產品採用新技術開發在350mA電流操作下WPE(功率轉換效率)可達60%，輸出功率超過220mW可應用於高階安全防護監控系統與車載夜視監控系統產品。

目前已量產的SiliLED9氮化物垂直結構產品，光電效率達165lm/W(@350mA)已與國際大廠產品並駕齊驅，已成功應用在色溫 (CCT)5000K-7000K路燈產品，並開始與車廠客戶配合導入汽車用霧燈、頭燈市場需求；而使用於Flash (閃光燈)2016 封裝型式產品在1A電流操作使用下亮度超過280lm。

新開發UV波段(365-405nm)SiliLED9氮化物垂直結構產品，UV 365nm波段在在1W，3W操作下達世界一級大廠水準；UV 395nm波段在350mA操作電流時則達到650mW，可作為高階UV固化製程與印刷電路板曝光機使用。

高功率LED晶片發展趨勢目前有垂直結構晶片(Vertical Chip)與覆晶(Flip Chip)兩大技術陣營，其中Flip Chip特點為發光角度大，封裝體積小。Vertical Chip優點則為發光角度集中為表面發光結構(Surface Light Emitting)，當螢光粉塗佈時不會有藍光外露的問題。在相同35mil*35mil尺寸使用350mA電流操作下Vertical Chip亮度較Flip Chip提升5-10%。Vertical Chip經由電極線路設計與電流分散層設計，可增進均勻的電流分佈(Current Spreading Effect)而具有高可靠度，非常適合在高溫高電流時改善效率衰減現象。另外Vertical Chip的優點更可以開發超大型晶片達80mil-120mil，其發光效率更是Flip Chip所無法匹敵。