Micro LED 被譽為是下一世代最重要的顯示技術之一，由於Micro LED的性能優良，可應用在穿戴式的手錶、手機、車用顯示器、擴增實境/虛擬實境、顯示屏及電視…等領域，但因為目前Micro LED 所面臨的技術瓶頸，設備、材料、面板與品牌廠商更需攜手合作共同開發。LEDinside 有此榮幸與機會訪問到 VEECO 資深副總與技術長 Dr. Ajit Paranjpe，談及目前Micro LED在磊晶發展上所面臨到的技術瓶頸。

（圖片來源：VEECO）

Ajit提到MOCVD 應用於Micro LED 產業之成功關鍵因素取決於波長均勻性 (Wavelength Uniformity) 與低缺陷密度的要求 (Low Defect Density)以及降低成本。

依照一般顯示產業的要求，至少一定是要小於10個像素壞點 (Dead Pixels)。因此對於LED磊晶的良率要求必須非常高，才有辦法減少壞點出現的機會。而在磊晶上壞點缺陷(Defect Density)的控制上，目前Veeco已經可以控制在每一平方公分之下小於一個壞點。

至於在波長均一性部分，雖然對傳統LED來說，可以使用挑檢(Sorting) 與分選 (Binning)，然而對於Micro LED來說，晶片微縮到極小，已經相當難以使用挑檢(Sorting) 與分選 (Binning) ，因此在LED磊晶生產上更要求極高均勻性。通常一般LED晶圓片與晶圓片的均勻性要求在8nm-10nm左右，依照一般顯示器行業要求，在顯示器成像顏色均勻性上的要求，須達到1-2nm LED磊晶波長均勻性 (Wafer Uniformity)，仍需視不同顯示器而定。然輔以適當的轉移技術，現階段Micro LED的晶圓片之間的波長均一性大約可以達到3-5nm，因此離顯示廠商要求還有段差距，需要透過LED磊晶廠商與轉移廠商的合作。

另外，除了在產品效能上的考量之外，對於LED廠商同時也在思考設備營運成本的最適性。因此Veeco也致力於協助廠商降低營運成本。VEECO 目前於市面上推出兩款機台，分別為Propel enLight GaN MOCVD System系統與EPIK 868 提供更好的營運成本 (Cost of Ownership)，因應市場需求。Propel enLight GaN MOCVD System 可達到200mm 八吋晶圓片生產，而EPIK 868 可達到150mm 六吋晶圓片生產。

（圖片來源：VEECO）

針對於GaN on Si LED 晶圓片生產上， Ajit提到目前最大可採用八吋GaN on Si LED 生產，在3nm 的波長均勻性下，可達到90% 的生產良率。GaN on Si LED 晶圓片生產的優點為可簡易移除基板，達到晶圓黏接 (Wafer Bonding)，搭配QD 等色彩轉換層即可達到全彩化的顯示影像。應用在為HUD投影市場更能提高相當高的解析度。

Ajit 提到，觀察現階段技術與產品要求，認為顯示屏導入 Micro LED 長期將可降低製造成本與提高更好的影像顯示效果；其次為車用抬頭顯示器將可提高亮度與更寬廣的可視角度 (Field of View)，為駕駛者帶來不同以往的駕駛體驗；而擴增實境則可以提供更高的亮度；並且認為在75-100吋以上的電視將會是導入Micro LED 技術上的甜蜜點；而最後手機受限於高解析度與成本因素，將會是最後的市場機會。

VEECO 已成功和各國家廠商合作Micro LED 用MOCVD設備使用，同時，VEECO 因應Micro LED產業，除了MOCVD 磊晶設備，也計畫朝向不同製程階段上的技術支援與服務。

文 Roger, Joanne / LEDinside