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在LED晶圓(LED外延片)製程方面,不同的襯底材料,需要不同的磊晶(晶圓生長)技術、晶片加工技術和封裝技術,襯底材料決定了半導體照明技術的發展 路線。襯底材料的選擇主要取決於以下9個方面,襯底的選擇要同時滿足全部應該有的好特性。所以,目前只能通過外延生長技術的變更和器件加工製程的調整來適 應不同襯底上的半導體發光器件的研發和生產。用於氮化鎵研究的襯底材料比較多,但是能用於生產的襯底目前只有二種,即藍寶石Al2O3和碳化矽SiC襯底。
LEDinside發表知識庫新文章[LED晶圓之襯底材料比較 ]