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近日，日本大廠同和電子（DOWA Electronics）宣佈，開發成功了發光波長為325～350nm的深紫外LED晶粒。比目前市售的紫外LED發光波長短，實現了該波長範圍全球最高水準的輸出功率。該公司正在進行旨在實現深紫外LED量產的試驗，力爭2008年內開始樣品供
這款新的紫外線LED晶粒採用了在藍寶石底板上高溫外延生成的AIN層範本，並結合使用從美國帕洛阿爾托研究中心（Palo Alto Research Center）引進的紫外LED外延生長技術。
同和電子具有製造高品質AIN範本的技術，該公司介紹說，用AIN範本作為緩衝層，可有效降低促使結晶生長的氮化鎵（GaN）材料的變形。
