比利時IMEC推動氮化鎵(GaN)技術發展

比利時研究中心(IMEC)推出一項聯合開發計劃(IIAP:industrial affiliation program),目標是降低氮化鎵(GaN)技術成本,採用大直徑的硅基氮化鎵(GaN-on-Si),並開發高效率、大功率白光LED,致力於推動氮化鎵技術的發展,包括功率轉換和固態照明(SSL)應用。

IMEC:藍寶石上的綠光 LED

IMEC GaN項目總監Marianne Germain表示,採用大直徑的硅晶片(尺寸從100mm到150mm,再增至200mm)與CMOS兼容程序相結合,可創造經濟上可行的解決方案。就固態照明而言,IIAP計劃的一部分是,將運用硅基氮化鎵技術來開發高效率、大功率白光LED。該計劃的目標包括改善內部與外部量子效率,並實現高電流作業。

IMEC表示,III族氮化物具備卓越的發光特性,並具有廣泛的可見光與紫外光譜。然而,如果採用新型批量製造技術,開發出光效可達150lm/W的LED,那麼,使用這些設備開發出的LED才能被廣泛接受。

IMEC還將邀請集成設備製造商與化合物半導體行業共同加入該計劃。

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