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從日前舉行的第十二屆全國LED產業研討與學術會議得知，中國LED工藝技術取得了快速進步，但同時，硬體設備正在成為發展瓶頸，特別是MOCVD(有機金屬化學氣相沉積)等核心設備正在制約產業的發展。
目前國際上GaN基LED產業主流的襯底是藍寶石，也有少量公司使用SiC襯底及Si襯底。Si襯底價格低廉，導電性能優良，但是Si與GaN的失配很大，外延出的GaN位元錯密度較高，而且很容易發生龜裂，要獲得高品質的GaN外延層非常困難。最近南昌大學在Si襯底上生長GaN基藍光LED，光效達到了116.7流明，達到了同類產品的最高水準，該技術現得到了嚴密的專利保護。若其大規模產業化發展，將提高中國LED技術專利在國際上的地位。
在工藝技術快速進步的同時，硬體設備並未獲得突破，特別是沒有成熟的國產設備，大量核心的設備需要進口，嚴重制約了LED技術和產業的發展。
目前，中國大約30個單位已經公示或正在籌建LED外延晶片專案。其投資購買MOCVD設備的數量在1400台～1600台，而實際較可能的數量也有500台～600台。
業內人士認為，錯誤的資料導致外延片和晶片產業投資過熱。2009年中國封裝和應用的利潤在48億人民幣左右，而2009年外延和晶片的總產值才23億，所以說LED外延片與晶片約占行業70%利潤的說法是錯誤的。這個錯誤的資料使人們的投資拼命投向外延片和晶片產業。
LED進入照明領域，集中體現了多技術融合的特點，屬於高端技術和產品，需要具備較強的產業基礎和技術基礎來支撐發展和相關應用，需要做好市場分析、產品定位、投資計畫和投資方案，才能有效規避投資風險。
整個LED產業隨著技術提升、專業化的發展、品牌的確立，集中度會愈來愈高。這個過程中，資本成為最大的推手。產業洗牌和整合勢在必行。
