歐洲微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC）與其合作夥伴共同開發了在200毫米矽晶片上生長GaN/AlGaN的技術。借助這項新技術，GaN MISHEMTs（ metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors，無金屬高電子遷移率晶體管）能夠嚴格按照CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體）的污染控制要求在製程線上進行生產（不再需要加入金這種貴金屬），進而能夠在200mm矽襯底上大批量生產高質量的氮化鎵產品。

IMEC介紹了該技術可實現大尺寸生產和兼容性好的優勢。氮化鎵是一種極具潛力能替代硅元件的新一代功率器件。IMEC使用Applied Materials公司的MOCVD最近成功地在200毫米硅晶片上生產出表面無裂紋並且彎曲度小於50微米的氮化鎵硅晶片是一個重要的里程碑，因為生產大尺寸晶片對降低成本效果顯著。

同時，IMEC的新技術展示了使用標準CMOS工藝生產GaN MISHEMTs，並驗證了所有的設備僅僅只要求在軟件和硬件做微小的調整即可。通常，金這種貴金屬被用於氮化鎵產品的電路連接和門電路結構，但它使氮化鎵的加工與CMOS工藝不兼容。而IMEC基於無金的電路連接系統，和無金的金屬絕緣半導體（MIS）門結構解決了兼容問題。這種MISHEMT設計還能有效降低傳統HEMTs（高電子遷移率晶體管）的高漏電問題。