|
|
|
日前，中山大學光電材料國家重點實驗室的研究人員表示，其採用四層矽delta摻雜的GaN作為n型復層，顯著提高了氮化物LED的抗靜電能力，此改善是因外延GaN材料晶體質量的改善和器件電流擴充的提高引起。
Delta摻雜技術是在維持氨氣流量不變的情況下，通過選擇性打開或者關閉三甲基鎵和硅烷來實現。採用delta摻雜技術后，LED器件的ESD值從1200伏提高到4000伏以上，而且電功率也明顯增大，350mA工作電流下，輸出功率提高了12.8%。
同時，delta摻雜層有效降低了GaN材料中的位錯密度，使位錯密度從7x107/cm2降低到了3x106/cm2，位錯密度的降低使LED反向漏電降低一個數量級，因而增強抗靜電能力。
此外，通過紅外顯微鏡對LED熱性能的測試，發現delta摻雜后的LED具有更均勻的電流擴散，因此降低了器件的電流密度，因而提高了抗靜電能力。
