國星光電「大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長、晶元製備及封裝技術」項目獲撥中國國家專項經費

國星光電(002449)于近日收到國科發財(2011)129號《關於下達2011年度國家高技術研究發展計劃第一批課題經費預算的通知》,現將有關情況公告如下:

1、按照科技部、財政部對國家高技術研究發展計劃(863計劃)專項經費的總體安排,由南昌大學牽頭、國星光電等單位共同承擔的國家863計劃項目“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長、晶元製備及封裝技術”,獲得專項經費預算5,565萬元,本次核撥專項經費3,339萬元,其中國星光電經費分配比例為7.5%。公司已於近日收到專項經費250.43萬元,該筆款項將專用於“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長、晶元製備及封裝技術”。

2、按照科技部、財政部對國家高技術研究發展計劃(863計劃)專項經費的總體安排,由揚州中科半導體照明有限公司牽頭、國星光電等單位共同承擔的國家863計劃項目“基於垂直結構的高效白光LED外延晶元產業化製備技術研究”,獲得專項經費預算1,383萬元,本次核撥專項經費830萬元,其中國星光電經費分配比例為12%。公司已於近日收到專項經費99.6萬元,該筆款項將專用於“基於垂直結構的高效白光LED外延晶元產業化製備技術研究”。

本次收到的專項經費公司將根據《企業會計準則》的規定,計入“遞延收益”科目,對公司當期損益不會產生重大影響。

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