美國能源部（DOE）下屬能源轉換機構ARPA-E已經選定氮化鎵對氮化鎵（GaN-on-GaN）新成立公司Soraa來引領GaN基質研發項目。

新成立公司Soraa在二月份舉辦的照明策略大會（the Strategies in Light Conference）上毫無動靜，但隨後憑借GaN-on-GaN LED技術崛起，目前，該公司宣稱將引領專註于GaN基質研發的DOE項目。美國能源部稱之為先進研究項目結構--能源（ARPA-E，Advanced Research Projects Agency - Energy），2011年初始資金資助Soraa，現在Soraa已經成為DOE的優先合同商。

Soraa認為，GaN能立即應用到亮度更高的LED和其他行業中。對基質和外延層使用相同的材料能更好地與水晶結構相結合。Soraa表示，這能夠驅動更高電流的LED，而實現更低的偏差。

Soraa指出，半導體行業中的其他分部使用稱之為同底基質的材料，如用於製造微處理器等大量數字IC的硅對硅（silicon-on-silicon）技術。在LED和其他應用中採用GaN-on-GaN技術已經受到了基質高成本的阻撓。ARPA-E機構希望利用此次機會研發出美國開發的解決方案。

Soraa創始人Shuji Nakamura在其研發高功率LED工作中具有豐富的GaN經驗。Shuji Nakamura表示，"我已經花費數十年的時間來研究LED中的氮化鎵，因為我相信這是一項很重要的開發，並在照明、電力電子和其他領域的節能技術上具有廣闊的前景"。

"ARPA-E很清楚Soraa的系統設計和能力代表了一條通往高質量和低成本GaN基質的突破之路"，ARPA-E項目總監Mark Johnson表示，"我們很高興支持他們開發、提高晶體質量和設備性能"。

DOE認為，GaN基質具有極大減少美國能源消耗的潛能。再者，DOE預測LED、激光器二極體和電力電子等GaN產品每年的市值超過500億美元。

"對於ARPA-E承認Soraa的GaN基質技術，我們感到很高興和很榮幸"，Soraa在該項目的首席投資者Mark D'Evelyn表示，"DOE對該轉換技術的認知和支持有望加快提升節能水平，加強美國LED技術的能力和提高其他眾多應用的性能"。