德國愛思強股份有限公司今日宣布，中國蘇州納米技術與納米仿生研究所訂購了兩套愛思強的近耦合噴淋頭技術（CCS）系統，以拓展該中心的氮化物半導體研究。訂單于2012年第三季度接獲，計劃將於2012年第四季度和2013年第一季度完成交付。

其中一套為愛思強推出的2英寸技術研發系統，可處理6x2英寸的基材。另一套CRIUS®系統則用於批量化生產，可一次處理最大31x2"或3x6"規格的基材。

蘇州納米技術與納米仿生研究所所長楊輝博士指出：“我們的納米器件及相關材料研究部將運用這兩套系統開發新型應用，例如用2英寸系統研發氮化鎵(GaN)激光器、硅基氮化鎵的生長和用CRIUS®系統製造高電子遷移率晶體管（HEMT）。”

納米器件及相關材料研究部于2006年成立，其中一個研究小組利用愛思強6x2”規格的近耦合噴淋頭系統，專門研究基於氮化鎵的大功率發光二極體(LED)和激光二極體(LDs)。該部門期望將專業技術拓展應用至電力電子領域。

目前，在硅基材上生長的氮化鎵的高電子遷移率晶體管已得到廣泛開發，用於批量生產射頻和功率切換應用設施的大功率密度器件。採用這種器件建造的系統將更為小巧節能，所需電路系統和被動元件更少，且能降低冷卻要求。

蘇州納米技術與納米仿生研究所由中國科學院(CAS)、江蘇省人民政府和蘇州市人民政府共同創建。該中心的使命為面向國際科技前沿、國家戰略需求與未來產業發展，開展基礎性、戰略性、前瞻性研究。