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愛思強股份有限公司昨日宣布，其最新的硅基氮化鎵生長設備AIX G5+反應器，榮獲“2013年化合物半導體製造獎”。 該獎項旨在表彰在有關晶圆製造工藝領域從研究到成品器件等關鍵環節中取得的卓越創新成就，推動行業向前發展的人士、工藝和產品。
愛思強股份有限公司首席技術官Andreas Toennis表示： “我們一直走在硅基氮化鎵技術的前沿，我們非常高興能榮獲此獎項，這是化合物半導體行業對我們所取得成就的充分認可。AIX G5+反應器旨在實現在硅基材上生長氮化鎵，並提供可媲美藍寶石基材生長工藝的性能和產量。”
“硅基氮化鎵技術勢將成為未來電力電子應用的技術選擇，且在低成本高亮度LED製造方面擁有廣闊的應用前景，”愛思強歐洲副總裁Frank Schulte博士補充說。
據了解，AIX G5+每生產批次可處理五個直徑為200mm的晶圓，通過大面積的基材，有效提高氮化鎵設備的產量和良率。
