AIXTRON愛思強股份有限公司今日宣佈，劍橋大學在材料科學與冶金系的新設施中成功完成另一套多晶片近耦合噴淋頭®(CCS) MOCVD反應器的調試工作。 該套6x2英吋規格的CCS系統將配置為可處理一片6英吋（150mm）晶片，即1x6英吋規格。
 
「我們將利用AIXTRON愛思強的系統，實現在6英吋矽晶片上生長氮化鎵外延，不斷推進我們在LED和電子設備方面的研發實踐，」材料科學與冶金系研究中心主任Sir Colin Humphreys教授表示。 「目前我們已經有一套6x2英吋規格的CCS系統，但由於矽基氮化鎵發展步伐日益加速，我們需要增置一套具備大直徑晶片處理能力的系統。」

愛思強有限公司(AIXTRON Ltd.)董事總經理Tony Pearce表示： 「AIXTRON愛思強與劍橋大學的合作關係由來已久，之前劍橋大學曾向我們訂購一套反應器，此次獲得劍橋大學增購另一套頂尖的CCS研究系統，讓我們倍感自豪。 在Humphreys教授的領導下，劍橋大學研究小組已成功發展了一套世界領先的矽基氮化鎵生產製程，我們期待看到這套新系統為他們的研發工作再助一臂之力。」

AIXTRON 愛思強歐洲區副總裁Frank Schulte博士補充說： 「我們非常高興能再次獲得劍橋大學研究小組的青睞，Colin Humphreys教授及其團隊是矽基氮化鎵技術領域的先驅，致力推動行業向前發展。 隨著矽基材在電力電子和LED應用領域的不斷深入，矽基氮化鎵技術勢將成為更多市場參與者的技術選擇。」

英國劍橋大學氮化鎵中心不僅擁有氮化物半導體生產能力，還是全球為數不多同時配備電子顯微鏡、X射線衍射儀、原子力顯微鏡、光致發光(PL)和霍爾效應設備等多種先進表徵設施的研究中心。 此外，該研發小組還擁有在氮化物半導體材料物理性質基本理論領域的專家。