華盛頓大學研製最薄LED 厚度僅三顆原子

雖然LED發展到現在已經變得非常薄,但研發人員對這個「薄」的追求似乎永無止盡。日前,華盛頓大學的研究人員宣佈他們研製出全球最薄的LED,只有3顆原子的厚度,是目前現有的技術所能做到最薄的LED,其運用的重點成份為二硒化鎢(tungsten diselenide),是已知最薄的半導體。

圖片來源:University of Washington

該項研究報告聯合作者徐曉東(Xiaodong Xu音譯)稱:「這種薄度加上可摺疊的LED,將對未來便攜式集合電子設備的研發有相當重要的作用。」

研究人員表示,這種LED的厚度要比現在的LED薄上10到20倍,但依然可以發出可見的亮度。另外,這種薄型LED它既具有彈性也很堅固,還可摺疊,這樣的特性將大大增加了其靈活度,同時對未來可穿戴設備發展也將起推進作用。

另外,由於這種LED極其薄,所以未來研究人員可在某些微型電腦晶片中用光學信號代替現在所使用的電子,進而加大其運行效率,並降低在這一過程中產生的熱量。

 

來源:cnBeta.COM、engadget

RSS RSS     print 列印     mail 分享     announcements 線上投稿        
【免責聲明】
1、「LEDinside」包含的內容和資訊是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和資訊並未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更正在本網站的任何部分之錯誤或疏失。
2、任何在「LEDinside」上出現的資訊(包括但不限於公司資料、資訊、研究報告、產品價格等),力求但不保證資料的準確性,均只作為參考,您須對您自主決定的行為負責。如有錯漏,請以各公司官方網站公佈為準。
【版權聲明】
「LEDinside」所刊原創內容之著作權屬於「LEDinside」網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散佈、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。