新發現:垂直集成氮化鎵LED助力發展Micro LED顯示器

美國羅徹斯特理工學院(Rochester Institute of Technology)的研究者新設計出一種垂直集成氮化鎵LED結構,有助於提高Micro LED顯示器的效率。

羅徹斯特理工學院的馬修(Matthew Hartensveld)和張敬(音譯,Jing Zhang)在 IEEE Electron Device Letter期刊上發表了一項研究,描述了他們將奈米線氮化鎵場效電晶體(field-effect transistors簡稱“FETs”)和氮化銦鎵LED集成在一起的方法。在這個有創意的新結構中,電晶體被放置在LED下面以實現控制和調光。

來源:羅徹斯特理工學院Hartensveld和Zhang

據悉,研究員通過結合電晶體和LED,創造出一個緊湊的結構,且製造過程簡易。在改善Micro LED顯示器發展方面,這個新設計的結構是一個性價比更高的選擇。

研究表明,新結構中,一個區域可放置更多的LED,因此,圖元密度和解析度皆更高。由於圖元尺寸變小,圖元密度變大,這對於發展Micro LED顯示器有很大的幫助。

但是,目前垂直設計的局限性在於關閉LED需要一個負電壓,對此,研究者正在努力改進中。(編譯:LEDinside Janice)

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