據報導，法國研究機構Leti of CEA Tech研發出一個生產高性能氮化鎵Micro LED顯示幕的新工藝。相比現有方法，這項新技術更簡單且更高效。

新工藝的第一步是將Micro LED晶片直接轉移到CMOS晶圓上。第二步是把由CMOS驅動電路和Micro LED晶片組成的每個完整圖元點轉移到顯示基板上。

研究員指出，CMOS驅動器具備高性能，可以製造更多種類的Micro LED顯示幕，從小尺寸可穿戴顯示器到大尺寸電視面板都能實現。

據稱，單個LED-CMOS單元是通過全半導體和晶圓級方法製造的，最終製成的顯示器不需要使用TFT（薄膜電晶體），這也是新工藝技術的另一個優點。

(source : Leti)

目前，如何提高驅動電子的性能是製造Micro LED的一個挑戰，這需要更多功率來實現更加明亮的圖像，以及更快的速度來應對不斷增長的高顯示解析度需求。

CEA-Leti研發的新工藝能夠通過簡化的轉移工藝來製造基於CMOS的高性能氮化鎵Micro LED顯示器，無需TFT背板。RGB Micro LED直接堆疊在微CMOS電路上，然後每個單元被轉移至簡單的接收基板上。最後，在單個半導體線上完成RGB Micro LED和背板的製造。

CEA-Leti光學器件戰略行銷經理Fran?ois Templier表示，這項基於CMOS的工藝能夠生產出更高亮度和更高解析度的Micro LED顯示器，可改變大型電視製造領域的遊戲規則。

據悉，5月14日，CEA-Leti在2019顯示周上展示了這項突破性技術。（編譯：LEDinside Janice）