英國半導體技術廠 Plessey 已成功研發單晶矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) Micro LED 技術。該公司指出，這類創新研發將會支援各種次世代應用，如 AR 頭戴式裝置、抬頭式顯示器 (HUD) 等進入大眾市場的其他智慧穿戴裝置。

Micro LED具備高對比、高速、廣視角、高亮度、高效率與作業時間長等特性，相當適合應用在智慧手錶、抬頭式顯示器與 AR 頭戴式裝置等穿戴式產品上的顯示器應用。

然而， Micro LED因體積微小，製作過程艱難，若使用常見的取放技術，將 Micro LED 一個個以小於 50 微米的間距擺放，是相當困難的挑戰。該製程的設備價格不斐且在產量上仍充滿疑慮，隨著像素密度逐日攀升，取放技術恐無用武之地。

(圖: Plessey)

因此，Plessey 持續開發矽基氮化鎵的技術，該技術將氮化鎵LED放置在矽基板而非傳統的藍寶石基板上。使用矽基氮化鎵技術，便能夠製造單晶 Micro LED，在單一晶片上裝載多個放射器。這種方法的優勢在於能將像素間距縮小至8微米、且能放大LED放射體積，以及矽基氮化鎵表面的放射屬性所帶來的較高對比等。該技術適用的晶圓大小，已經可輕鬆拉至 200nm以上，改善成本與良率。

此技術能夠剔除傳統取放式生產的弊病，又賦予Micro LED 滿足新興 AR 與顯示器應用之苛刻要求的潛力。再者，採單晶設計讓Micro LED能直接放在CMOS矽背板上，輕鬆將 CMOS 電路導入高科技應用。

Plessey具有目前唯一的單晶Micro LED方案，並陸續對外授權該技術，供合作夥伴生產客製化顯示器與光源使用，滿足各式各樣的消費者電子應用。

Plessey的磊晶片及進階產品總監Dr. WeiSin Tan即將在LEDinside的年度盛會Micro LEDforum上分享他們的技術如何優化 AR 及 MR 顯示器應用。LEDinside邀請國內外產學先進，從製造設備、晶片設計、檢測方案、轉移技術、驅動設計、顯示與利基技術產品，進行全方面市場關鍵趨勢剖析，掌握產業最新消息！活動網址：https://seminar.trendforce.com/LEDforum/2019/TW/index/