英國Micro LED公司Plessey發佈新聞稿宣佈已開發出世界上首個矽基InGaN紅光LED。

(圖片來源：Plessey)

紅光LED始終是Micro LED實現全彩化的一大挑戰。InGaN材料的藍光和綠光LED都已商用量產，而紅光LED則通常使用AlInGaP材料或依賴色彩轉換，且因為AlInGaP材料常出現嚴重邊緣效應，或是在顏色轉換過程容易造成的損耗，都讓實現高效率的超小間距紅色像素（<5 μm）困難重重。

(圖片來源：Plessey)

為了克服紅光LED的挑戰，Plessey使用InGaN材料搭配其專屬技術來製造紅光LED。與現有的基於AlInGaP的紅光相比，InGaN紅光LED不僅製造成本低，還能擴展到更大的200 mm或300 mm晶圓，且具備更好的熱/冷係數。然而，InGaN紅光LED的難度也不容小覷。由於銦含量高，在活性區域會引起應變反應，造成晶體品質降低並產生多種缺陷，Plessey則透過專有的應變控制技術來實現高效率InGaN紅光LED。

Plessey的InGaN Red Micro LED在電流密度為平方公尺10安培時的波長為630 nm，半峰全寬為50 nm，熱冷係數超過90％。而在超小間距中時，其發光效率高於傳統的AlInGaP和色轉換的紅光。有了這個結果，Plessey現在可以製造原生的藍、綠和紅InGaN材料，或者使用其GaN-on-Silicon平臺調出400至650 nm的波長。

(來源：Plessey)

Plessey外延和高級產品開發總監Wei Sin Tan表示：「這是一個令人振奮的結果，因為它為低成本製造超小間距和高效的Red InGaN圖元提供了一條途徑，將加速Micro LED在AR微型顯示器和移動/大型顯示器應用中的採用。」（編譯：LEDinside James）