首爾半導體其下首爾偉傲世與美國加州大學聖塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara，UCSB）組團共同發表了一項研究，探討尺寸微縮到1-10μm後，Micro LED的特性變化。

Micro LED的外量子效率（EQE）通常會隨著尺寸縮小而降低，這成為Micro LED技術開發的一個難題。為了進一步瞭解外量子效率與晶片尺寸之間的關係，首爾偉傲世與USCB的研究小組聚焦在尺寸小至1μm的Micro LED，對比藍色和綠色InGaN Micro LED外量子效率的變化趨勢。

研究小組指出，他們採用現有的標準半導體製造技術來開發用於研究的尺寸小至1μm的InGaN Micro LED。經過對比藍色和綠色InGaN Micro LED，發現當尺寸小於10μm時，綠色LED的效率高於藍色LED，這表明綠色LED的外量子效率受尺寸影響較小。

圖片來源：Smith et al. 2020

基於此研究結果，首爾偉傲世及USCB還提出，製造更小尺寸的全彩化Micro LED設備或許可以採用紅色InGaN Micro LED。同時，研究小組希望通過提高亮度和可靠性等因素能夠促使更小尺寸的InGaN Micro LED應用於智慧手機、AR眼鏡及4K電視等高階顯示領域。

此外，研究團隊還聲稱，這是首次針對尺寸小於5μm Micro LED外量子效率變化趨勢進行的研究。研究結果在2020年2月1日發表於《應用物理快報》（Applied Phyics Letter）上，標題為《直徑小至1μm的藍色和綠色InGaN Micro LED的尺寸相關特性對比》（Comparison of size-dependent characteristics of blue and green InGaN microLEDs down to 1μm in diameter）。（編譯：LEDinside Janice）